華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試系統(tǒng)簡介

華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試儀

我公司所設(shè)計(jì)生產(chǎn)的IGBT測(cè)試系統(tǒng)具備下列測(cè)試能力：可用于IGBT模塊封裝測(cè)試，電動(dòng)車IGBT模塊檢測(cè)，電動(dòng)車電控部分IGBT測(cè)試；還可以針對(duì)不同封裝提供IGBT模塊測(cè)試夾具；

     華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀測(cè)試的IGBT參數(shù)包括：ICES（漏流）、BVCES（耐壓）、IGESF（正向門極漏流）、IGESR（反向門極漏流）、VGETH（門檻電壓／閾值）、VGEON（通態(tài)門極電壓）、VCESAT（飽和壓降）、ICON（通態(tài)集極漏流）、VF二極管壓降、等全直流參數(shù), 所有小電流指標(biāo)保證1重復(fù)測(cè)試精度, 大電流指標(biāo)保證2以內(nèi)重復(fù)測(cè)試精度。

     可以用在電動(dòng)汽車電控的測(cè)試，

1、     測(cè)試關(guān)斷時(shí)CE之間耐壓和漏電流，測(cè)試電壓條件為VGE=0V，VCE=700V。

2、     測(cè)試反向二極管導(dǎo)通時(shí)EC之間壓降，測(cè)試條件為VGE=0V，IEC=250A

3、     測(cè)試導(dǎo)通時(shí)CE之間壓降，測(cè)試條件為VGE=15V，ICE=500A

    華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀，可以仿真元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓，并測(cè)量重要參數(shù)的數(shù)據(jù)，再與原出廠指標(biāo)比較，由此來判定元件的好壞或退化的百分比。每個(gè)電流模塊，都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng)，以便在測(cè)試時(shí)，提供內(nèi)部電路及電池組充電之用； 可選購?fù)獠扛邏耗K，執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如：各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)5KV。

測(cè)試參數(shù)多且完整、應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛，但只要使用其基本的2項(xiàng)功能：開啟大電流壓降，關(guān)閉小電流的漏電流，就可知道大功半導(dǎo)體有沒有老化的現(xiàn)象。

優(yōu)勢(shì)行業(yè)：電力設(shè)備、地鐵、鐵路動(dòng)力車組和運(yùn)用大功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行設(shè)計(jì)、制造的行業(yè)。

華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試儀

    華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的V-I  特性測(cè)試 ， 廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車 ，風(fēng)力發(fā)電 ，變頻器， 焊機(jī)行業(yè)的  IGBT來料選型和失效分析。測(cè)試過程簡單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。能夠通過電腦操作成IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；

整個(gè)測(cè)試過程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測(cè)試曲線，方便操作使用。

華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試儀 測(cè)試實(shí)例

 Vce-Ic特征曲線

華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試儀Vgth-Vce特征曲線

測(cè)試界面

華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試儀華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的V-I  特性測(cè)試 ， 廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車 ，風(fēng)力發(fā)電 ，變頻器， 焊機(jī)行業(yè)，充電樁的  IGBT來料選型和失效分析以及在線檢修.地鐵高鐵大修車間檢修用IGBT測(cè)試儀