深圳市華科智源科技有限公司
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詳細(xì)摘要： 華科智源MOS管測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-05-14 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2024-04-28 在線留言
詳細(xì)摘要： 品牌： 華科智源 名稱： 浪涌電流測(cè)試儀 型號(hào)： HUSTEC-IFSM-1200A 用途： 浪涌電流是指電源線接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-IFSM-1200A所在地：深圳市更新時(shí)間：2023-03-29 在線留言
詳細(xì)摘要： ITC55100雪崩能量測(cè)試儀是原成功產(chǎn)品ITC5510的升級(jí)版本，它能執(zhí)行ITC5510系列的所有測(cè)試，同時(shí)增加了許多功能，如提高測(cè)試精度，測(cè)試結(jié)果的收集，查...
產(chǎn)品型號(hào)：ITC55100所在地：深圳市更新時(shí)間：2023-03-29 在線留言
詳細(xì)摘要： IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，以表征器件的動(dòng)態(tài)特性，通過(guò)特制測(cè)試夾具的連接，實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參...
產(chǎn)品型號(hào)：PT-1224所在地：深圳市更新時(shí)間：2023-03-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源結(jié)電容測(cè)試儀，可以測(cè)試MOS管，IGBT，SIC器件的柵極電阻和柵極電容，包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容，Rg等參數(shù)，可...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-CV-1200所在地：深圳市更新時(shí)間：2023-03-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 適用碳化硅二極管、IGBT模塊\\MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-3000所在地：深圳市更新時(shí)間：2023-03-29 在線留言
詳細(xì)摘要： HUSTEC-1600A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管，MO...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2023-03-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Introducion華科智源IGBT測(cè)試儀設(shè)備是一款大功率器件參數(shù)測(cè)試儀，可用于IGBT單管及模塊，SIC器件，MOS管，二極管等功率器件的靜態(tài)參數(shù)測(cè)...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：深圳市更新時(shí)間：2023-03-24 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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