1、設備概述
該設備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態參數測試，以表征器件的動態特性，通過特制測試夾具的連接，實現模塊的動態參數測試。
3、系統基本參數
3.1 電 壓 源：220VAC ±10 ，50Hz/60Hz 20A RMS；
3.2 加熱功能：室溫
150；
3.3 測試功能：可測試IGBT模塊及FRD；
3.4 環境溫度：25±15；
3.5 環境濕度：50 ±20 （相對濕度）
4、動態測試基本配置
4.1 集電級電壓 Vcc： 50 1000V；
4.2 集電極電流 Ic： 50 1000A 感性負載；
4.3 電流持續時間 It： 10 1000 us 單個脈沖或雙脈沖的總時間；
4.4 脈 沖 模 式： 單脈沖和雙脈沖；
4.5 單電流脈沖的設置： Vcc，Ic, 電感值（自動計算脈寬）；
4.6 雙電流脈沖的設置： Vcc, Ic, 電感值，間隙時間（10到50us）(脈寬自動計算)；
（開啟Qrr測試：第二個脈寬＝間隙時間，1050us）；
4.7 設備寄生電感 Lint: < 65nH（感性動態測試）。
5、感性負載
5.1 有效電感 L 100 200 500 1000 μH；
5.2 電流 Ic 1000 500 A；
外部電感成陣列的內部連接。（外部電感的H值傳給PC，以計算電流源的極限，限制脈寬到1000us）。
6、標準的雙控制極驅動
6.1 門極電阻可人工預先設定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；
6.2 開啟（Trun-ON）輸出電壓 Vge+ ： +15V；
6.3 關斷（Trun-ON）輸出電壓 Vge- ： -15V；
6.4 脈寬： 10 1000us （單脈沖、雙脈沖總時間）；
6.5 電壓開關時間： < 50ns；
6.6 輸出內阻： < 0.5Ω；
7、測量配置
7.1 示波器：美國泰克新5系混合信號示波器（MSO），帶寬500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道；
7.2 高速電流探頭；
7.3 高壓差分探頭。
8、測試參數應包括
8.1 開通：turn on (tdon , tr , di/dt , Ipeak , Eon , Pon )；
8.2 關斷：turn off (tdoff , tf , Eoff , Ic , Poff)；
8.3 反向恢復 (Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec)；
8.4 柵電荷：采用恒流驅動，電流可調范圍：0
100mA；
8.5 短路（1200Ａmax）；
8.6 雪崩；
8.7 NTC(模塊)測試：0-20KΩ；
8.8 主要測試參數精度偏差 ：< 3 。
9、系統保護功能
9.1 有完備的安全控制單元，動態測試設備有傳感器來保證操作者安全，設備任何門被打開均能快速切斷高壓電源。
9.2 有急停按鈕，當急停按鈕被按下時，迅速切斷所有高壓電源。
9.3 系統帶有短路保護功能，在過載時迅速斷開高壓高電流。
9.4 操作系統帶有多級權限。
9.5 系統應配有內置ups，保證計算機系統在電網短時間掉電情況下，為系統供電0.5小時以上，確保系統及數據安全。
該設備主要針對IGBT及MOS管的測試儀，適用于芯片設計，產線封裝測試及新能源汽車，風力發電，地鐵交通等領域的大功率器件及模塊測試，設備模塊化程度高，測試穩定性及測試精度在客戶端已經廣泛使用。可以根據就用戶需求進行定制。
華科智源技術團隊專注于ＩＧＢＴ動靜態測試設備開發。團隊所開發的IGBT模塊動態測試設備于2014年開始應用于ＩＧＢＴ產線的模塊批量出貨測試，及IGBT研發參數分析；同時獲得一些IGBT模塊和DBC方面的，其中有雙面散熱模塊。
華科智源IGBT動態參數測試設備批量測試過的電動汽車級模塊，電動汽車級：如２IN1模塊（600Ａ/1200Ｖ,此模塊應用于電動大巴Ｋ９）,6IN1模塊（315，600Ａ/1200Ｖ；415，800Ａ/1200Ｖ）,800Ａ/650Ｖ,400Ａ/650Ｖ;工業模塊：如34mm,62mm半橋，EconoDUAL,EconoPACK,PIM模塊及單管ＴＯ-247等等；動靜態參數測試。
華科智源IGBT測試設備有以下亮點：
1）設備下位機與上位工控電腦采用600nm光纖通信；
2）所有的IGBT DUT驅動采用光纖；
3）目前新款采用8通道光纖掃描技術；
4）ＩＧＢＴ動態測試設備機臺的總寄生電感小于55nH (瑞士LEMSYS TRds2015-2020設備為70nH);
5）設備在2000Ａ短路電流下保護斷開總時間<3us；
