晶體振蕩器實(shí)際應(yīng)用的環(huán)境需要慎重考慮。例如，高強(qiáng)度的振動(dòng)或沖擊會(huì)給振蕩器帶來問題。除了可能產(chǎn)生物理損壞，振動(dòng)或沖擊可在某些頻率下引起錯(cuò)誤的動(dòng)作。這些外部感應(yīng)的擾動(dòng)會(huì)產(chǎn)生頻率跳動(dòng)、增加噪聲份量以及間歇性振蕩器失效。對(duì)于要求特殊EMI兼容的應(yīng)用，EMI是另一個(gè)要優(yōu)先考慮的問題。除了采用合適的PC母板布局技術(shù)，重要的是選擇可提供輻射量小的時(shí)鐘振蕩器。一般來說，具有較慢上升/下降時(shí)間的振蕩器呈現(xiàn)較好的EMI特性。

　　恒溫晶體振蕩器簡(jiǎn)稱恒溫晶振，英文簡(jiǎn)稱為OCXO(Oven Controlled Crystal Oscillator)。詳解恒溫晶振的調(diào)試：

　　1)每一個(gè)單獨(dú)指標(biāo)必須單獨(dú)測(cè)試，不能同時(shí)測(cè)試幾種指標(biāo)，也不能同時(shí)測(cè)試幾只晶振。

　　2)測(cè)試時(shí)要嚴(yán)格按照標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試電路和測(cè)試環(huán)境進(jìn)行測(cè)試。

　　3)在沒有相當(dāng)?shù)臏y(cè)試設(shè)備和測(cè)試人員的情況下，不建議客戶自行測(cè)試晶振，更不能隨意調(diào)試晶振，測(cè)試設(shè)備的等級(jí)應(yīng)至少比晶振指標(biāo)高一個(gè)數(shù)量級(jí)。

　　4)對(duì)不同廠家的產(chǎn)品，尤其是來自不同國(guó)家的產(chǎn)品，有一些指標(biāo)的測(cè)試方法不盡相同，應(yīng)提前了解各廠家的異同點(diǎn)，統(tǒng)一意見，以減少不必要的麻煩。

　　5)對(duì)一些短期指標(biāo)如頻率精度，開機(jī)特性等，應(yīng)多做幾次重復(fù)的測(cè)試，以減少測(cè)試結(jié)果的偶然性。

　　生活水平的提高,人們開始注重養(yǎng)生了,這樣才能讓自己的身體更健康；對(duì)于石英晶振來說也是同樣的道理,在使用過程中把握分寸,在額定環(huán)境下運(yùn)行相當(dāng)重要,這是石英晶振穩(wěn)定起振以及性能發(fā)揮程度的首要條件.就拿工作溫度來說吧；假設(shè)一款石英晶振的額定工作溫度為-30一85°C,但是設(shè)備的工作環(huán)境溫度為-40? 105°C,這樣一來,工作溫度超過該晶振產(chǎn)品的限制,在這樣的環(huán)境下工作,輕則損傷晶振的性能和使用壽命,重則直接損壞晶振。

　　晶振在電氣上可以等效成一個(gè)電容和一個(gè)電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個(gè)電容的二端網(wǎng)絡(luò)，電工學(xué)上這個(gè)網(wǎng)絡(luò)有兩個(gè)諧振點(diǎn)，以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯(lián)諧振，較高的頻率為并聯(lián)諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個(gè)頻率的距離相當(dāng)?shù)慕咏?，在這個(gè)極窄的頻率范圍內(nèi)，晶振等效為一個(gè)電感，所以只要晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容它就會(huì)組成并聯(lián)諧振電路。這個(gè)并聯(lián)諧振電路加到一個(gè)負(fù)反饋電路中就可以構(gòu)成正弦波振蕩電路，由于晶振等效為電感的頻率范圍很窄，所以即使其他元件的參數(shù)變化很大，這個(gè)振蕩器的頻率也不會(huì)有很大的變化。晶振有一個(gè)重要的參數(shù)，那就是負(fù)載電容值，選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率。一般的晶振振蕩電路都是在一個(gè)反相放大器（注意是放大器不是反相器）的兩端接入晶振，再有兩個(gè)電容分別接到晶振的兩端，每個(gè)電容的另一端再接到地，這兩個(gè)電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負(fù)載電容，請(qǐng)注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個(gè)不能忽略。一般的晶振的負(fù)載電容為15p或12.5p，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個(gè)22p的電容構(gòu)成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。