電子廠廢水處理工藝
電子廠所排岀的低濃度清洗廢水及高濃度廢棄槽液,濃度髙低相差極大,而性質回異,對應的印刷電路板/電子廠廢水處理方式亦有很大之差異,因此卬刷電路板/電孑廠廢水管末處理,首重不同性質廢水分流收集及個別處理,以免相互干擾,增加卬刷電路板/電子廠廢水處理難度。
電子廠所產生之廢水量相當大,主要污染成份以COD及重金屬爲主。過去國內通常采用重金屬化學混凝沉淀法,以堿劑使廢水中金屬離子形成氫氧化物膠羽后,再以沉淀分離方式去除。但因卬刷籛路板/電孑廠廢水中含有螫合性成份(如EDTA,氨等),造成處理上比較困難。
電子廠廢水處理方法
1、有機干膜法:往廢水中添加FeCL3,用調節βH至2(緩慢添加H℃L),然后用a○3將ρH調節到7。然后將此處理后的處理液與一般有機廢水混合一起處理。其機理大約爲:利用Fθ3+的高電荷將廢水中部分帶負電荷的有機物電荷中和,使其沉淀;使用將βε調節至
2,其將廢水中未被電荷中和,引起沉淀的有機物酸化形成干膜。而使用caC○3其作用類似于凝聚劑使得廢水中的懸浮顆粒沉淀。
2、Feηton法:將高濃度有機廢水酸化去除干膜后,調節PH至4-5,添加Feηtoη試劑,氧化廢水中部分有機物,反應完成后添加Na2sυ3或將pH調節至η10以便使得過量的H0。去除,然后將此預處理后的處理液與一般有機廢水混合后一起處理。其反映機理為
Fe2+++202 Fe3++oH+OH
Fe3++H202-Fe2+>+00H+. H
3、 UVFenton法:此法與單獨的 Fenton法相似,衹不過在處理過程中增加UV光促使產生更多更快的OH氫氧自由基,從而加速氧化反應的進行。此方法的優點:在UV光作用下產生的oH氫氧自由基,遠遠超過了單純的 Fenton法,將反應的時間有所減短,從而氧化反應也較*。
4、U∨-H20法:將廢水PH調節至酸性,添加到反應系統中的H2○2在UV光的照射下,將產生OH氫氧自由基對廢水中的有機物進行氧化,從而降低CoD。其反應機理爲:H202+hν-20H。此后OH氫氧自由基對廢水中的有機物氧化作用與上述的相同。在處理高濃度有機廢水時,建議先對廢水進行酸化處理,可減輕后處理的負荷。因酸化時將產生大量的黏度很高的廢干膜,若未及時對其進行處理,它將會黏附在處理槽壁上,若時間長后無論用何化學方法都處理不掉的。
